multisim

БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Задание 1. Запустить лабораторный комплекс Labworks и среду МS10 (щёлкнув мышью на команде Эксперимент меню комплекса Labworks). На рабочем поле среды MS10 собрать схему для снятия ВАХ биполярных тран-зисторов с общим эмиттером (ОЭ) и полевых транзисторов с общим исто-ком (ОИ) (рис. 23.10, а) или открыть файл 23.10.ms10, размещённый в папке Circuit Design Suit 10.0 среды МS10. Задание 2. Снять и построить (по точкам) входных IБ(UБ) при UКЭ = const и выходных IК(UК) при IБ = const ВАХ соответствующего биполярного транзистора (см. табл. 23.2). Задание 3. Снять и построить (по точкам) семейство выходных IС(UС) при UЗИ = const ВАХ (см. рис. 23.4, б) и стоко-затворную характеристику IС(UЗ) при UСИ = 12 В (см. рис. 23.4, в) полевого транзистора с типа р-п-перехода (см. табл. 23.2), заполнив показаниями приборов табл. 235. Задание 4. Снять семейство выходных ВАХ соответствующего поле-вого транзистора с индуцированным каналом (см. табл. 23.2) с помощью прибора IV. изображение на страницу отчёта (см. рис. 23.9). Определить крутизну S стоко-затворной характеристики IС(UЗ) при UСИ = 10…12 В на линейном её участке.

Способ заказа и контакты